全国高端外围经纪人预约团队,全球高端私人定制社交平台,全国空降高端模特预约 ,附近100米约

产品资料
首页 >>> 产品中心 >>> 机械设备 >>> 抛光机 >>> TR15M实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机

实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机

产品名称: 实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机
产品型号: TR15M
产品特点: 实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包装抛光装置 TR15M（文献中具体型号为 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圆（或小样片）的实验级化学机械抛光（CMP）平台，核心信息如下：
1. 设备定位
主要面向浆料开发、工艺验证、小批量试产，可完成氧化硅、氮化硅、金属（Cu、W）等薄膜的去除与平坦化 。
2. 关键规格（

实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机 的详细介绍

实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机

实验级半导体材料桌上型CMP 加工研磨抛光机

日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包装抛光装置 TR15M（文献中具体型号为 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圆（或小样片）的实验级化学机械抛光（CMP）平台，核心信息如下：

1. 设备定位

  • 主要面向浆料开发、工艺验证、小批量试产，可完成氧化硅、氮化硅、金属（Cu、W）等薄膜的去除与平坦化 。

2. 关键规格（公开文献值）

表格
复制
项目参数
压盘直径380 mm
最大样片尺寸40 mm × 40 mm（标准切片）
加压方式砝码加载，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
转速压盘 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋转）
浆料流量50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min（视浆料而定）
工艺时间1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系统组成

  • 桌上型一体化结构，内置蠕动泵、浆料槽、废液盘，可放标准实验室通风柜；
  • 兼容市售聚氨酯抛光垫（IC-1000/Suba400 等），换垫无需拆主轴；
  • 可升级终点检测模块（摩擦力或光学反射式），用于精确停磨。

4. 典型应用文献案例

  • 氧化铈浆料筛?。涸?TR15M 上用 1 min 抛光，对比不同 CeO? 粒径对氧化硅去除速率与缺陷影响 ；
  • 低 k 介质 CMP：验证低压力（＜200 g f/cm2）条件下凹陷-腐蚀行为，为 28 nm 以下 BEOL 工艺窗口提供数据。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包装抛光装置 TR15M（文献中具体型号为 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圆（或小样片）的实验级化学机械抛光（CMP）平台，核心信息如下：

1. 设备定位

  • 主要面向浆料开发、工艺验证、小批量试产，可完成氧化硅、氮化硅、金属（Cu、W）等薄膜的去除与平坦化 。

2. 关键规格（公开文献值）

表格
复制
项目参数
压盘直径380 mm
最大样片尺寸40 mm × 40 mm（标准切片）
加压方式砝码加载，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
转速压盘 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋转）
浆料流量50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min（视浆料而定）
工艺时间1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系统组成

  • 桌上型一体化结构，内置蠕动泵、浆料槽、废液盘，可放标准实验室通风柜；
  • 兼容市售聚氨酯抛光垫（IC-1000/Suba400 等），换垫无需拆主轴；
  • 可升级终点检测模块（摩擦力或光学反射式），用于精确停磨。

4. 典型应用文献案例

  • 氧化铈浆料筛?。涸?TR15M 上用 1 min 抛光，对比不同 CeO? 粒径对氧化硅去除速率与缺陷影响 ；
  • 低 k 介质 CMP：验证低压力（＜200 g f/cm2）条件下凹陷-腐蚀行为，为 28 nm 以下 BEOL 工艺窗口提供数据。
日本 Techno Rise 桌上型 CMP 加工研磨包装抛光装置 TR15M（文献中具体型号为 TR15M-TRK1）是一款用于 300 mm 以下晶圆（或小样片）的实验级化学机械抛光（CMP）平台，核心信息如下：

1. 设备定位

  • 主要面向浆料开发、工艺验证、小批量试产，可完成氧化硅、氮化硅、金属（Cu、W）等薄膜的去除与平坦化 。

2. 关键规格（公开文献值）

表格
复制
项目参数
压盘直径380 mm
最大样片尺寸40 mm × 40 mm（标准切片）
加压方式砝码加载，常用 300 g f/cm2（≈ 29.4 kPa）
转速压盘 90–100 rpm；保持器 90–110 rpm（同向旋转）
浆料流量50 mL/min（中心滴注）
典型去除速率氧化硅膜 200–400 nm/min（视浆料而定）
工艺时间1 min 即可磨穿 2000 nm TEOS 氧化膜

3. 系统组成

  • 桌上型一体化结构，内置蠕动泵、浆料槽、废液盘，可放标准实验室通风柜；
  • 兼容市售聚氨酯抛光垫（IC-1000/Suba400 等），换垫无需拆主轴；
  • 可升级终点检测模块（摩擦力或光学反射式），用于精确停磨
    。

4. 典型应用文献案例

  • 氧化铈浆料筛?。涸?TR15M 上用 1 min 抛光，对比不同 CeO? 粒径对氧化硅去除速率与缺陷影响 ；
  • 低 k 介质 CMP：验证低压力（＜200 g f/cm2）条件下凹陷-腐蚀行为，为 28 nm 以下 BEOL 工艺窗口提供数据
    。


产品留言

留言框

  • 产品：

  • 您的单位：

  • 您的姓名：

  • 联系电话：

  • 常用邮箱：

  • 省份：

  • 详细地址：

  • 补充说明：

  • 验证码：

    请输入计算结果（填写阿拉伯数字），如：三加四=7

深圳市秋山贸易有限公司版权所有 地址：深圳市龙岗区龙岗街道新生社区新旺路和健云谷2栋B座1002

13823147203
13823147203
在线客服
手机
13823147203

微信同号