微电子与制药行业用湿法工艺臭氧发生装置

微电子与制药行业用湿法工艺臭氧发生装置

1. 电解式原理

• 去离子水（DI Water）直接电解生成 O?，无需气源干燥、减压或 PSA 制氧，避免 NOx、颗粒等副产物，臭氧纯度高，金属离子析出极低，适合晶圆清洗、光刻胶去除、CVD 后清洗等对污染极其敏感的工艺 。

2. 高耐久与低维护

• 采用钛基+陶瓷复合电极板，表面纳米涂层抑制析氧副反应，电极寿命较传统电解槽提升约 2 倍；
• 槽体为全 PTFE 或 PFA 一体注塑，高温 (≤80 °C) 浓臭氧环境无渗透、无腐蚀；
• 内置自动极性反转与脉冲清洗程序，可防止 Ca/Mg 结垢，实现 8 000 h 以上免开盖维护周期

  。

3. 性能范围（FA1X 系列典型值）

• 臭氧产量：1–10 g/h（FA110 型最大 10 g/h，FA120 型 20 g/h，依此类推）；
• 出口浓度：5–200 mg/L 可调（以水溶液计，高浓度型最高 250 mg/L）；
• DI Water 流量：1–20 L/min，压力 0.15–0.4 MPa；
• 电源：单相 AC 220 V 50/60 Hz，功率 80–300 W；
• 进出接口：3/8″ PFA 管或 ?″ 卡套，可订制法兰；
• 外形：桌面 320 × 220 × 420 mm（FA110），19″ 机架 4U/5U（FA120 以上）

  。

4. 在线监控与安全

• 标配紫外-可见光吸收 (UV-Vis) 型臭氧浓度计，分辨率 0.1 mg/L，误差 ≤ ±2 %；
• PLC+7″ 触控屏，实时显示产量、浓度、槽温、电导率；支持 RS-485/EtherNet/IP 与主机台通信；
• 多段报警：低流量、超温、电极劣化、O? 泄漏（<0.1 ppm）；泄漏时自动停槽并启动催化分解器

  。

5. 典型应用

• 半导体：晶圆清洗、栅氧前清洗、Cu/低-k 兼容清洗、光刻胶剥离；
• 面板：LCD/OLED 湿法再生、ITO 蚀刻后残胶去除；
• 制药/生物：超纯水管网在线消毒、发酵罐 CIP/SIP；
• 精密电镀：取代 H?SO?/H?O? 粗化，实现低蚀刻速率铜面改性。

6. 选型与扩展

• FA1X-L：低浓度型 (≤30 mg/L)，适合大流量漂洗；
• FA1X-H：高浓度型 (≤250 mg/L)，适合局部点胶清洗；
• 可选双槽并联?？椋迪?24 h 连续运行（一槽工作，一槽维护/反洗）；
• 可内置 0.1 μm 过滤器 + 超纯换热器，直接对接 UPW 回路。