99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉
产品名称: 99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉
产品型号: TM-DAR
产品特点: 99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉高纯度纯度:氧化铝含量≥99.99%,部分型号如TM-DAR纯度可达99.995%以上。杂质含量极低,如Si、Fe、Na等杂质含量均在ppm级别,这使得材料在化学稳定性、电性能等方面表现出色。
99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉 的详细介绍
99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉
99.99纯度半导体领域用超细氧化铝粉
高纯度
纯度:氧化铝含量≥99.99%,部分型号如TM-DAR纯度可达99.995%以上
。杂质含量极低,如Si、Fe、Na等杂质含量均在ppm级别,这使得材料在化学稳定性、电性能等方面表现出色
。
应用优势:高纯度可减少晶界杂质偏析,提高陶瓷的介电性能和光学透过率
,适用于对纯度要求的应用领域,如半导体制造夹具、电子陶瓷等。
粒径分布
超微细粒径:一次粒子径可达0.10μm,部分型号如TM-5D粒径为0.20μm。粒径分布可控且均匀,D90/D10<3
。
性能提升:超微细粒径和均匀的粒径分布有助于提高烧结活性,促进低温致密化
,同时减少成型与烧结过程中的应力集中
,提升陶瓷的机械性能
。
低温烧结特性
低温烧结:TM-D系列可在1250-1300℃实现致密化烧结
,烧结密度可达理论密度的98%以上
。
工艺优势:相比传统氧化铝的高烧结温度(通常>1600℃),大明化学的氧化铝粉体烧结温度大幅降低
,能耗减少30%-40%
。此外,低温烧结还能减少晶粒异常生长
,提高烧结体的致密程度
。
优异的成型性能
表面修饰技术:通过表面修饰技术防止颗粒团聚,振实密度最高可达1.0g/cm3
,注射成型时填充率提升15%以上。
成形密度高:成形密度可达2.3g/cm3(单轴压制98MPa),减少烧结收缩率
。
优良的烧结体性能
高强度和高硬度:烧结体具有高强度、高硬度、耐磨性及耐腐蚀性
,适用于制造各种精密陶瓷部件
。
光学性能:部分型号如TM-DA和TM-DAR可制备透光率>85%@600nm的透明陶瓷
,适用于光学器件
。
广泛的应用领域
光学材料:可用于制造透明陶瓷、红宝石、YAG激光晶体等
。
其他材料:还适用于研磨材料、合成尖晶石、催化剂载体等
。