1250-1300℃致密化烧结高纯氧化铝粉

1250-1300℃致密化烧结高纯氧化铝粉

• 超高纯度：所有型号的氧化铝含量均≥99.99%，部分型号如TM-DAR纯度可达99.995%以上。关键杂质如Si、Fe、Na等含量被严格控制在低水平，例如TM-DAR型号中Si<10ppm、Fe<8ppm、Na<8ppm

  。
• 低放射性杂质：铀(U)和钍(Th)含量分别低于0.004ppm和0.005ppm

  ，这使得材料在核医学和半导体等对纯度要求的领域具有重要应用价值

  。

粒径分布

• 超微细粒径：一次粒子径可达0.10μm，部分型号如TM-5D粒径为0.20μm

  。粒径分布可控且均匀，BET比表面积从9.0m2/g到17.0m2/g不等。
• 颗粒形貌优化：颗粒形状均匀，减少了烧结过程中气孔的形成，使烧结体透光率显著提高

  。

低温烧结特性

• 低温烧结：TM-D系列可在1250-1300℃实现致密化烧结，烧结密度可达理论密度的98%以上。TM-UF型号的烧结温度更低，可在1200°C至1250°C的温度范围内实现致密化

  。
• 节能与性能优势：相比传统氧化铝的高烧结温度（通常>1600℃），大明化学的氧化铝粉体烧结温度大幅降低，能耗减少30%-40%

  。此外，低温烧结还能减少晶粒异常生长，提高烧结体的致密程度

  。

优异的成型性能

• 表面修饰技术：通过表面修饰技术防止颗粒团聚，振实密度最高可达1.0g/cm3（TM-DAR/TM-DR），注射成型时填充率提升15%以上

  。
• 高成形密度：成形密度可达2.3g/cm3（单轴压制98MPa），减少烧结收缩率

  。

优良的烧结体性能

• 高强度和高硬度：烧结体具有高强度、高硬度、耐磨性及耐腐蚀性，适用于制造各种精密陶瓷部件

  。
• 光学性能：通过HIP（热等静压）烧结后，TM-DA/TM-DAR可制备透光率>85%@600nm的透明陶瓷，用于高压钠灯电弧管、激光窗口等光学器件

  。

广泛的应用领域

• 精密陶瓷：适用于制造切削工具、等

  。
• 电子材料：用于IC基板、传感器等电子元件

  。
• 光学材料：可用于制造透明陶瓷、红宝石、YAG激光晶体等。
• 其他材料：还适用于研磨材料、合成尖晶石、催化剂载体等

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