半导体制造用多波段等离子体工艺监测器

半导体制造用多波段等离子体工艺监测器

1. 光谱范围与速度
• 一次即可捕获 200 nm–950 nm 宽波段等离子体发射光谱

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• 最快 20 ms（启用检测软件时 50 ms）连续采样，可一次记录多达 15 000 条光谱，满足快速工艺监控需求

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2. 测量精度与灵敏度
• 内置高分辨率光谱仪与超高灵敏度光电探测器，保证光谱响应度数据精准

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• 对 200 nm 紫外区仍保持高灵敏度，可检测低强度自由基或离子发射

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3. 光纤与多腔室接口
• 标配 SMA 接口光纤，可便捷接入不同反应腔

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• 一台分析单元通过 USB 2.0 最多可同时控制 4 台 C10346-01，实现多腔室并行监测

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4. 终点与异常检测
• 配套数据采集软件可实时建库，并可选配“检测模型"软件，通过发射光谱变化自动判别蚀刻/清洗终点，及早发现空气泄漏、杂质侵入或异常放电

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• 支持脚本级光谱运算、归一化、微分、积分等算法，可输出 0–10 V 模拟量与 TTL 数字量信号，与主机台 EES 或 PLC 对接

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5. 数据管理与可视化
• 光谱数据可写入 Access、SQLite、SQL Server 或 Oracle 数据库；可显示任意时刻或波长的时间-强度曲线、3D 波形，并估算等离子体活性成分

  。
• 提供趋势图、模拟图表、故障检测模型建立等分析工具，帮助工程师优化工艺窗口

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